深圳变压器选择MOS管有什么要注意的？

　　1、电压负载

　　在具有稳压电路的应用中，通常　 成长的昌能进入一个新兴的发展时期，我们坚持“以质量和服务赢客户，以效率和创新求发展”的企业方针，以顾客为中心，诚信服务，严格管理，依托科技，以人为本，全面打造“用户满意产品”。经营产品有S11、S13油浸式变压器，SC(B)10/SC(B)11干式变压器，SG(B)11 非包封干式变压器，S(B)H15非晶合金变压器，SCRBH15非晶合金干式变压器，矿用防爆型移动变电站，S13立体三角形卷铁心变压器，S11、S13高过载配电变压器，S13有载调容配电变压器，D11、S11柱上式变压器,10KV干式变压器，35kv干式变压器。同时可根据用户要求提供铁路用变压器、整流变压器、电炉变压器、矿用变压器，各种平式、特种变压器及箱式变电站!首先考虑选择漏源电压VDS。这里的理由是，在实际工作环境中，MOSFET的大峰值漏极-源极电压小于器件规格的标称漏极-源极中断电压的90%。就是：

　　VDS_peak≤90%* V(BR)DSS

　　注意：通常，V(BR)DSS的温度系数为正。因此，应将其用作器件低工作温度下的V(BR)DSS值的参考。

　　2、损耗和散热

　　Ron值小有利于减少传导过程中的损耗，Rth值小有利于散热，因为它可以减小温度差(在相同的功耗条件下)。

　　3、漏极电流

　　接下来，考虑漏极电流的选择。基本原理是，在实际工作环境中，MOSFET的大周期性漏极电流为指定的大漏极-源极电流的90%或更少，大漏极脉冲电流为指定的标称漏极脉冲电流峰值的90%或更少。即：

　　ID_max≤90%* ID

　　ID_pulse≤90%* IDP

　　注意：温度系数ID_max和ID_pulse通常为负。因此，请使用高结温时设备的ID_max和ID_pulse值作为参考。高性能深圳变压器的此参数选择非常不确定，这主要是由于工作环境，散热技术和其他设备参数(电阻，热阻等)的相互限制。终决定将基于结温(即下文第6条“功率耗散限制”)。经验表明，在实际应用中，功率损耗和温度上升的极限值导致规格ID为实际大工作电流的倍数。在预计算期间，必须根据第6节中的功率损耗限制连续调整此参数。建议******选择为3-5倍ID =(3-5)* ID_max。

　　4、功率损耗首次计算

　　计算MOSFET损耗有八个主要部分：

　　PD = Pon + Poff + Poff_on + Pon_off + Pds + Pgs + Pd_f + Pd_recover

　　详细公式应根据具体电路和工作条件确定。例如，同步整流应用还应考虑体二极管的正向导通期间的损耗以及在关闭转向时的反向恢复损耗。

　　5、驱动要求

　　MOSFEF的驱动器要求由总网络费用(Qg)的参数确定昌能变压器制造有限公司主导产品有2200kV级以下的油浸式变压器、干式变压器、非晶合金变压器、整流变压器、电炉变压器、矿用变压器、卷铁芯变压器、船用变压器、特种变压器、箱式变电站等30多个系列，1000多种规格，以及非标产品的设计和制造。。如果满足其他参数要求，请尝试选择较小的Qg，以简化驱动电路设计。选择驱动电压以使Ron尽可能低，只要它不接近大栅极-源极电压(VGSS)(通常使用器件规范建议)即可。

　　6、耗散功率约束

　　稳定的高性能深圳变压器设备的大稳态功率损耗PD应基于设备工作转变温度的高温度限制。如果预先知道设备的工作环境温度，则大功耗可以估算如下。

　　PD，max≤(Tj，max-Tamb)/Rθj-a

　　其中，Rθj-a是从器件结到其工作环境的总热阻，包括Rθ结壳，Rθcase下沉，Rθsink环境等。如果在两者之间有绝缘材料，则应考虑热阻。